Image présentée de l'appareil expérimental à effet magnétorésistif LEEM-8

Appareil expérimental LEEM-8 pour l'effet magnétorésistif

Description courte :

Remarque : oscilloscope non inclus

Ce dispositif, de conception simple, offre une grande richesse fonctionnelle. Il utilise deux types de capteurs : un capteur à effet Hall GaAs pour mesurer l’intensité de l’induction magnétique et un capteur de magnétorésistance InSb pour étudier la résistance sous différentes intensités d’induction magnétique. Les étudiants peuvent ainsi observer l’effet Hall et la magnétorésistance des semi-conducteurs, caractérisés par des expériences de recherche et de conception.

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Détails du produit

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Expériences

1. Étudier la variation de résistance d'un capteur InSb en fonction de l'intensité du champ magnétique appliqué ; trouver la formule empirique.

2. Tracer la résistance du capteur InSb en fonction de l'intensité du champ magnétique.

3. Étudier les caractéristiques AC d'un capteur InSb sous un champ magnétique faible (effet de doublage de fréquence).

Caractéristiques

Description	Caractéristiques
Alimentation du capteur de magnétorésistance	0-3 mA réglable
voltmètre numérique	Plage de mesure : 0-1,999 V ; résolution : 1 mV
milliteslamètre numérique	Plage de mesure : 0-199,9 mT, résolution : 0,1 mT