Appareil expérimental à effet magnétorésistif LEEM-8

Brève description :

Remarque : oscilloscope non inclus

Le dispositif est simple de structure et riche en contenu. Il utilise deux types de capteurs : un capteur Hall GaAs pour mesurer l'intensité de l'induction magnétique et un capteur de magnétorésistance InSb pour étudier la résistance sous différentes intensités d'induction magnétique. Les étudiants peuvent observer l'effet Hall et la magnétorésistance des semi-conducteurs, caractérisés par des expériences de recherche et de conception.

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Détails du produit

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Expériences

1. Étudiez le changement de résistance d'un capteur InSb en fonction de l'intensité du champ magnétique appliqué ; trouvez la formule empirique.

2. Tracez la résistance du capteur InSb en fonction de l'intensité du champ magnétique.

3. Étudier les caractéristiques AC d'un capteur InSb sous un champ magnétique faible (effet de doublement de fréquence).

Caractéristiques

Description	Caractéristiques
Alimentation du capteur à magnétorésistance	0-3 mA réglable
Voltmètre numérique	plage 0-1,999 V résolution 1 mV
Milli-Teslamètre numérique	plage 0-199,9 mT, résolution 0,1 mT