Appareil expérimental à effet magnétorésistif LEEM-8

Brève description:

Remarque : oscilloscope non inclus

Le dispositif est simple dans sa structure et riche en contenu.Il utilise deux types de capteurs : un capteur Hall GaAs pour mesurer l'intensité de l'induction magnétique et pour étudier la résistance du capteur de magnétorésistance InSb sous différentes intensités d'induction magnétique.Les étudiants peuvent observer l'effet Hall et l'effet de magnétorésistance des semi-conducteurs, qui sont caractérisés par des expériences de recherche et de conception.

Envoyez-nous un e-mail

Détail du produit

Étiquettes de produit

Expériences

1. Étudier le changement de résistance d'un capteur InSb en fonction de l'intensité du champ magnétique appliqué ;trouver la formule empirique.

2. Tracer la résistance du capteur InSb en fonction de l'intensité du champ magnétique.

3. Étudier les caractéristiques AC d'un capteur InSb sous champ magnétique faible (effet de doublage de fréquence).

Caractéristiques

La description	Caractéristiques
Alimentation du capteur à magnéto-résistance	0-3mA réglable
Voltmètre numérique	gamme 0-1.999 V résolution 1 mV
Milli-Teslamètre numérique	plage 0-199,9 mT, résolution 0,1 mT