Démonstrateur de laser à semi-conducteurs pompé par diode LPT-7
Caractéristiques
Laser à semi-conducteur | |
Puissance de sortie CW | ≤ 500 mW |
Polarisation | TE |
Longueur d'onde centrale | 808 ± 10 nm |
Plage de températures de fonctionnement | 10 ~ 40 °C |
Courant de conduite | 0 ~ 500 mA |
Nd: YVO4Cristal | |
Concentration de dopage Nd | 0,1 ~ 3 atm% |
Dimension | 3 × 3 × 1 mm |
Platitude | < λ/10 à 632,8 nm |
Revêtement | AR à 1 064 nm, R < 0,1 % ; 808 = 90 % |
Cristal KTP | |
Gamme de longueurs d'onde transmissives | 0,35 ~ 4,5 µm |
Coefficient électro-optique | r33=36 pm/V |
Dimension | 2×2×5 mm |
Miroir de sortie | |
Diamètre | Φ 6 mm |
Rayon de courbure | 50 mm |
Laser d'alignement He-Ne | ≤ 1 mW à 632,8 nm |
Carte de visualisation IR | Plage de réponse spectrale : 0,7 ~ 1,6 µm |
Lunettes de sécurité laser | OD = 4+ pour 808 nm et 1064 nm |
Wattmètre optique | 2 μW ~ 200 mW, 6 échelles |
LISTE DES PIÈCES
Non. | Description | Paramètre | Qté |
1 | Rail optique | avec base et cache-poussière, l'alimentation laser He-Ne est installée à l'intérieur de la base | 1 |
2 | Support laser He-Ne | avec transporteur | 1 |
3 | Ouverture d'alignement | trou f1 mm avec support | 1 |
4 | Filtre | ouverture f10 mm avec support | 1 |
5 | Miroir de sortie | BK7, f6 mm R = 50 mm avec support et chariot réglables sur 4 axes | 1 |
6 | Cristal KTP | 2×2×5 mm avec support et chariot réglables sur 2 axes | 1 |
7 | Nd:YVO4 Cristal | 3×3×1 mmavec support et chariot réglables sur 2 axes | 1 |
8 | LD 808 nm (diode laser) | ≤ 500 mW avec support et support réglables sur 4 axes | 1 |
9 | Support de tête de détecteur | avec transporteur | 1 |
10 | Carte de visualisation infrarouge | 750 ~ 1600 nm | 1 |
11 | Tube laser He-Ne | 1.5mW@632.8 nm | 1 |
12 | Wattmètre optique | 2 μW~200 mW (6 plages) | 1 |
13 | Tête de détecteur | avec couvercle et poteau | 1 |
14 | Contrôleur de courant LD | 0 ~ 500 mA | 1 |
15 | Cordon d'alimentation | 3 | |
16 | Manuel d'instructions | V1.0 | 1 |
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